TÀI LIỆU THƯ VIỆN SỐ
- Toán học (546 )
- Vật lý (456 )
- Hóa học (373 )
- Sinh học (280 )
- Văn học (620 )
- Lịch sử (332 )
- Địa Lý - Thiên văn (306 )
- Ngoại ngữ (301 )
- Mỹ thuật - Hội họa (250 )
- Âm nhạc (355 )
- Thể dục (459 )
- Quản lý Giáo dục (453 )
- Tâm lý - Giáo dục (468 )
- Sư phạm Tiểu học (519 )
- Sư phạm Mầm non (608 )
- Kinh tế - Ngân Hàng (621 )
- Quản trị KD - Du lịch (533 )
- Công nghiệp (339 )
- Điện - Điện tử (681 )
- Công nghệ thông tin (921 )
- Thông tin - Thư viện (495 )
- Văn hóa - Nghệ thuật (305 )
- Khoa học thường thức (192 )
- Chính trị - Xã hội (393 )
- Nông nghiệp (777 )
- Luận văn (483 )
- Luận án tiến sĩ (121 )
Danh mục TaiLieu.VN
- Mẫu Slide Powerpoint
- Luận Văn - Báo Cáo (344720)
- Kinh Doanh Marketing (65512)
- Kinh Tế - Quản Lý (48934)
- Tài Chính - Ngân Hàng (55898)
- Công Nghệ Thông Tin (142209)
- Tiếng Anh - Ngoại Ngữ (47066)
- Kỹ Thuật - Công Nghệ (134345)
- Khoa Học Tự Nhiên (107174)
- Khoa Học Xã Hội (82451)
- Văn Hoá - Nghệ Thuật (54408)
- Y Tế - Sức Khoẻ (173915)
- Nông - Lâm - Ngư (62504)
- Kỹ Năng Mềm (29016)
- Biểu Mẫu - Văn Bản (27610)
- Giải Trí - Thư Giãn (51994)
- Văn Bản Luật (198854)
- Tài Liệu Phổ Thông (402015)
- Trắc Nghiệm Online (213578)
- Trắc Nghiệm MBTI
- Trắc Nghiệm Holland
Ảnh hưởng của liên kết Spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MoS2 đơn lớp
Bài viết nghiên cứu ảnh hưởng của liên kết spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MoS2 đơn lớp được đặt trong điện trường bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ. Các tính toán của chúng tôi đã chỉ ra rằng, có sự tách các vùng con ở lân cận mức Fermi trong cấu trúc vùng năng lượng điện tử của MoS2 đơn lớp khi xét đến liên kết quỹ đạo spin.
Từ khóa: MoS2 đơn lớp, Tính chất điện tử, Lí thuyết phiếm hàm mật độ, Liên kết Spin quỹ đạo, Cấu trúc vùng năng lượng điện tử
5 p tailieu_dnulib 25/11/2020 56 0
Phát triển bởi Thư viện số
