TÀI LIỆU THƯ VIỆN SỐ

Danh mục TaiLieu.VN

Chế tạo dây nano In2O3 trên đế nP(100) bằng phương pháp hơi lỏng rắn sử dụng xúc tác hạt nano Au

Bài viết trình bày kết quả tổng hợp thành công dây nano In2O3/InP(100) bằng phương pháp hơi lỏng rắn (VLS), sử dụng hạt xúc tác Au chiều dày 22nm. Tại nhiệt độ biến tính 500o C, dây nano mọc thẳng đứng trên đế InP có đường kính thay đổi từ 30 -70nm và chiều dài của dây từ vài chục nano đến vài trăm μm.

Từ khóa: Dây nano In2O3, Phương pháp hơi lỏng rắn, Xúc tác Au, Áp suất chân không, Chế tạo linh kiện quang điện, Điện tử nano

6 p tailieu_dnulib 25/07/2024 14 0

Bình luận