- Bạn vui lòng tham khảo Thỏa Thuận Sử Dụng của Thư Viện Số
TÀI LIỆU THƯ VIỆN SỐ
Danh mục TaiLieu.VN
Màng SnO2 pha tạp Ga (GTO) được chế tạo từ bia gốm hỗn hợp (SnO2 + Ga2O3) bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong khí nền Ar ở áp suất 4.10-3 torr. Ảnh nhiễu xạ tia X (XRD), phương pháp đo Hall Van Der Pauw và phổ truyền qua UV- Vis được sử dụng để khảo sát đặc trưng của màng. Mời các bạn cùng tham khảo kết quả nghiên cứu.
10 p dnulib 29/11/2017 337 1
Từ khóa: Phún xạ magnetron DC, Màng dẫn điện trong suốt SnO2:Ga, Màng dẫn điện, Phương pháp phún xạ magnetron DC, Phương pháp phún xạ, Ảnh nhiễu xạ tia X
Đăng nhập
Bộ sưu tập nổi bật
Tuyển tập tài liệu hay về Sinh học
12 11587
14 15873
Tài liệu về Sư phạm Mầm non chọn lọc
24 23076
Tin nhanh