TÀI LIỆU THƯ VIỆN SỐ

Chế tạo màng mỏng bari đisilic trên đế gecmani bằng phương pháp bốc bay nhiệt và khảo sát một số tính chất của nó

Nghiên cứu này góp phần củng cố thêm kết luận về thời gian điều chỉnh đế tối ưu ở nghiên cứu trước. Phổ phát quang của BaSi2 cho thấy màng BaSi2 lắng đọng trên đế điều chỉnh với te = 15 phút có chất lượng kết tinh tốt hơn trên đế phẳng. Từ đó, giá trị vùng cấm của màng BaSi2 được thiết lập, đạt 1.17-1.2 eV.

Từ khóa: Bán dẫn hợp chất với silic, Bốc bay nhiệt, Sự điều chỉnh đế, Phổ phát quang, Thời gian sống của hạt tải